Výrobca Číslo produktu:
TSM2N100CP ROG
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM2N100CP ROG-DG
Popis:
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 1000 V 1.85A (Tc) 77W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventár:
12897073
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM2N100CP ROG Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
1000 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.85A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.5Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
625 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
77W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252 (DPAK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
TSM2N100
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
TSM2N100CP ROGDKR-DG
TSM2N100CPROGDKR
TSM2N100CP ROGTR-DG
TSM2N100CP ROGCT-DG
TSM2N100CP ROGDKR
TSM2N100CP ROGCT
TSM2N100CPROGCT
TSM2N100CP ROGTR
TSM2N100CPROGTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IXTY1R6N100D2
VÝROBCA
IXYS
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IXTY1R6N100D2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.54
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMPH1006UPS-13
MOSFET P-CH 12V 80A PWRDI5060-8
TSM60N900CH C5G
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251
DMT6009LFG-13
MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
